[发明专利]MOSFET器件的终端结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010688736.8 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111725300A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 裘三君 | 申请（专利权）人： | 深圳市瑞之辰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广东卓林知识产权代理事务所(普通合伙) 44625 | 代理人： | 岳帅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区民治街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOSFET器件的终端结构及其制备方法和应用，所述终端结构包括设置于所述MOSFET器件芯片外围的一组以上由内而外依次分布的碳化硅沟槽环；所述碳化硅沟槽环为封闭的环形；最内侧的所述碳化硅沟槽环与所述芯片的低电位连接；最外侧的所述碳化硅沟槽环为截止环，所述截止环的电位与所述芯片的划片道连接。本发明的MOSFET器件的终端结构，通过内侧将碳化硅沟槽与芯片的低电位连接，有效抑制了反刑沟道的形成，可以抑制漏电；在外侧将碳化硅沟槽与划片道的高电位连接，可以加强隔离效果，封闭的环形设计可以避免内侧与外侧之间形成漏电通道，从而解决了MOSFET器件耐压和漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 终端 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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