[发明专利]一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010690255.0 申请日: 2020-07-17
公开(公告)号: CN111740023A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 杜祖亮;王书杰;吴婷婷 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 崔玥
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法,所述制备方法包括:准备衬底,所述衬底作为阳极电极层;在所述衬底上旋涂空穴注入层;在所述空穴注入层上旋涂TFB/Au NPS/TFB叠层结构;在所述TFB/Au NPS/TFB叠层结构上旋涂量子点发光层;在所述量子点发光层上旋涂电子传输层;在所述电子传输层上制作阴极电极。本发明引入新型叠层结构TFB/Au NPs/TFB,利用Au NPs和量子点的等离子体相互作用,加快了QDs的辐射复合速率,增强了量子点的荧光发射,提升了器件的外量子效率。
搜索关键词: 一种 新型 量子 发光二极管 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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