[发明专利]一种有机-无机复合近紫外LED及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有机‑无机复合近紫外LED及其制备方法。包括倒置结构的n‑GaN基板，以及依次设置在所述倒置结构的n‑GaN基板上的电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和电极。所述n‑GaN基板包括由下至上依次设置的Al2O3基板、u‑GaN缓冲层、u‑GaN外延层以及n‑GaN外延层；所述u‑GaN缓冲层以及所述u‑GaN外延层未经Si掺杂，所述n‑GaN外延层掺杂有Si。本发明制备的n‑GaN基板具有良好散热性能和高载流子迁移率；将n‑GaN作为基板以及电子注入层(EIL)制备具有倒置结构的近紫外有机‑无机复合LED器件，使其具有更强的载流子注入能力，更好的发光效率和散热性能。