[发明专利]窄粒径分布的三元前驱体的制备方法有效
| 申请号： | 202010690386.9 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111943278B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 罗爱平;吴芳 | 申请（专利权）人： | 广东芳源新材料集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/525 | 分类号： | H01M4/525;C01G53/00;H01M4/485;H01M4/505;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 贺育武;冯剑明 |
| 地址： | 529145 广东省江门市新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种窄粒径分布的三元前驱体的制备方法，包括如下步骤，配置溶液：按照预定的摩尔比例配置镍离子、钴离子和M离子的混合溶液A、第一强碱性溶液B1和第一络合剂溶液C1；配置底液：向反应装置中加入纯水、第二强碱性溶液B2和第二络合剂溶液C2；成核和生长阶段：成核结束后，继续将所述混合溶液A、所述第一强碱性溶液B1和所述第一络合剂溶液C1按预定比例同时加入反应装置中，使晶核继续生长，期间在反应装置中的溶液到达或低于所述反应装置的满液位时，进行提浓处理，使滤清液排出反应装置外，晶核继续留在反应装置内生长，直至晶核生长至目标粒度。 | ||
| 搜索关键词： | 粒径 分布 三元 前驱 制备 方法 | ||
【主权项】：
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