[发明专利]半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法在审
| 申请号： | 202010690900.9 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111900071A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 汤高;贺贤汉;杨炜;王云鹏;蒋立峰 | 申请（专利权）人： | 上海富乐德智能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;B08B3/12;B08B3/08;B08B3/10;B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域。半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，包括如下步骤：步骤(1)，干冰喷砂；步骤(2)，热水浸泡；步骤(3)，有机溶液浸泡，纯水冲洗去除残留药液；有机溶剂为选自乙醇、异丙醇、丙酮中的至少一种；步骤(4)，混合酸溶液刻蚀，纯水冲洗去除残留药液；步骤(5)，碱溶液刻蚀，纯水冲洗；步骤(6)，超声波清洗。通过该方法，快速去除硅电极表面的沉积膜层，去除沉积膜层后裸露的硅基材经受刻蚀时间达到一致，并且硅基材经受刻蚀时间大大缩短，避免了硅基材表面受到不均匀刻蚀而产生不平整或粗糙现象，实现硅电极的再生利用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 蚀刻 装置 电极 部件 再生 方法 | ||
【主权项】：
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