[发明专利]半导体装置的金属选用结构在审
| 申请号： | 202010691251.4 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112864117A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 安庆勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的金属选用结构可以包括：多个通孔，其将第一金属层中所设置的第一金属线连接到设置在第一金属层上方的第二金属层中所设置的第二金属线，并且被配置为构成选用电路的多个节点；以及识别图案，其设置在第一金属层和第二金属层之间并且与通孔具有不同的布局结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 金属 选用 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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