[发明专利]包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)

摘要

一种包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)，包括GaAs基板、下DBR层、下间隔层、主动区、上间隔层及上DBR层。下DBR层或上DBR层分别包含多层的低折射率层及多层的高折射率层，下DBR层、下间隔层、上间隔层或上DBR层包含AlxGa1‑xAs1‑yPy，其中AlxGa1‑xAs1‑yPy的晶格常数大于GaAs基板的晶格常数，借此适度减少因为晶格不匹配而产生过大的压缩应力或避免长晶时产生拉伸应力，从而减少VCSEL磊芯片变形翘曲或制造时发生破片的机会，或避免VCSEL磊晶层因累积过大的压缩应力或因长晶时产生拉伸应力，其中拉伸应力越大越容易引起缺陷或差排，过多的缺陷或差排会使VCSEL的可靠度不佳。