[发明专利]改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法

摘要

本发明公开了一种改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法，每个循环过程步骤如下：步骤S1，通入第一气相前驱体；步骤S2，吹扫多余的第一气相前驱体；步骤S3，第一次通入第二气相前驱体；步骤S4，第二次通入第二气相前驱体；步骤S5，吹扫多余的第二气相前驱体；其中，每个循环过程中需要的所述第二气相前驱体的体积V0与第一次通入的第二气相前驱体的流量为S1、通入时间为T1以及第二次通入的第二气相前驱体的流量为S2、通入时间为T2的关系为：V0＝S1×T1+S2×T2；S1＞S2。本发明在保证每个循环过程沉积的薄膜厚度不变的前提下，有效降低炉管内前驱体残留气体的浓度差异，减少炉管内不同位置的硅片残气沉积导致的膜厚差异，改善硅片之间的厚度差异。