[发明专利]一种高透射率的纳米氧化硅薄膜及其制备工艺在审

专利信息
申请号: 202010693870.7 申请日: 2020-07-17
公开(公告)号: CN111960688A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 唐正霞;戴旭;相恒一 申请(专利权)人: 金陵科技学院
主分类号: C03C17/25 分类号: C03C17/25;C01B33/145;B82Y40/00;C08J7/06;C08L101/00
代理公司: 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 代理人: 姜露露
地址: 211100 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高透射率的纳米氧化硅薄膜及其制备工艺,属于材料的表面改性领域。包括衬底预处理;氧化硅溶胶的制备;旋涂法制氧化硅薄膜;加热固化及其退火处理四个步骤。本发明通过高温退火,在氧化硅薄膜中形成Si‑O‑Si三维网状结构能够达到提高薄膜、与衬底的结合力;对于低熔点衬底,通过硅乙烯基与硅氢键在催化剂的作用发生加成反应,使得组分间相互交联,进而提高薄膜强度、与衬底结合力。
搜索关键词: 一种 透射率 纳米 氧化 薄膜 及其 制备 工艺
【主权项】:
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