[发明专利]一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法有效
申请号: | 202010694663.3 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN111816567B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/367 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法,其中包括如下步骤:晶圆上表面处理、沉积薄膜、一次polyimide厚膜涂布、蚀刻、镀Cu seed层、翻转、研磨、缓坡(阶梯)蚀刻、去除研磨胶带膜、晶圆下表面处理、二次polyimide厚膜涂布、一次涂布光阻、二次涂布光阻、注铜、除polyimide厚膜、除Cu seed层、放置晶圆、切割。本发明双面polyimide制程结合双面厚膜Cu ECP制程可提供超薄晶圆结合双面Cu散热片(柱),达到制程可行性及成本上的明显巨大优越性;正面polyimide不仅提供元件的完美保护也形成制作结合成为完美的边缘支撑及应力缓冲,使超薄晶圆制作的可行性,量产性及良率皆大幅提升。解决了现有技术中双面厚膜铜散热片或柱结合超薄晶圆制作上难度大,实际操作过程复杂的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 厚膜电 镀铜 散热 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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