[发明专利]一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法有效

专利信息
申请号: 202010694663.3 申请日: 2020-07-17
公开(公告)号: CN111816567B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 严立巍;陈政勋;李景贤 申请(专利权)人: 绍兴同芯成集成电路有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/367
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 王依
地址: 312000 浙江省绍兴市越城区*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法,其中包括如下步骤:晶圆上表面处理、沉积薄膜、一次polyimide厚膜涂布、蚀刻、镀Cu seed层、翻转、研磨、缓坡(阶梯)蚀刻、去除研磨胶带膜、晶圆下表面处理、二次polyimide厚膜涂布、一次涂布光阻、二次涂布光阻、注铜、除polyimide厚膜、除Cu seed层、放置晶圆、切割。本发明双面polyimide制程结合双面厚膜Cu ECP制程可提供超薄晶圆结合双面Cu散热片(柱),达到制程可行性及成本上的明显巨大优越性;正面polyimide不仅提供元件的完美保护也形成制作结合成为完美的边缘支撑及应力缓冲,使超薄晶圆制作的可行性,量产性及良率皆大幅提升。解决了现有技术中双面厚膜铜散热片或柱结合超薄晶圆制作上难度大,实际操作过程复杂的问题。
搜索关键词: 一种 双面 厚膜电 镀铜 散热 结构 制作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴同芯成集成电路有限公司,未经绍兴同芯成集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010694663.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top