[发明专利]一种基于切割硅废料制备硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极的方法有效
| 申请号： | 202010696789.4 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111799460B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李绍元;王雷;马文会;席风硕;张钊;万小涵;魏奎先;陈正杰;于洁;伍继君;谢克强;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;C01B33/037;C01B32/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于切割硅废料制备硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极的方法。本发明将切割硅废料除杂后进行金属辅助刻蚀处理得到纳米金属/多孔硅复合材料，纳米金属/多孔硅复合材料经与硼源混合后高温处理，使硼对硅形成替位式掺杂，再与碳材料复合得到硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极。本发明硅的多孔结构以及碳材料的加入可以缓解硅的体积膨胀，增加循环稳定性，金属粒子在硅基体表面与硅物理复合结合硼在原子尺度上对硅的化学掺杂协同作用，最终实现硅基复合材料本征电导率的提高和电化学活性的改善，从而制备出高充放电比容量及长循环寿命的硼掺杂纳米金属/硅碳复合负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 切割 废料 制备 掺杂 纳米 金属 多孔 复合 负极 方法 | ||
【主权项】：
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