[发明专利]具有气隙的半导体元件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010698132.1 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542446A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法，该半导体元件结构包含一第一导电结构以及一第二导电结构，设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦包括一第一间隙子以及一第二间隙子，该第一间隙子设置在该第一导电结构上，该第二间隙子设置在该第二导电结构上。该半导体元件结构还包括一第三间隙子与一第四间隙子，该第三间隙子设置在该第一间隙子的一侧壁上，该第四间隙子设置在该第二间隙子的一侧壁上。该第三间隙子的一下部贴近该第四间隙子的一下部，而该第三间隙子的该下部与该第四间隙子的该下部覆盖一气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体 元件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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