[发明专利]基于9T SRAM单元在内存实现汉明距离计算的电路及9T SRAM单元有效
| 申请号： | 202010698812.3 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111883192B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 蔺智挺;赵强;陈军宁;陈龙龙;卢文娟;彭春雨;吴秀龙;黎轩 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;韩珂 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于9T SRAM单元在内存实现汉明距离计算的电路及9T SRAM单元，先将目标二进制数据存储到N行N列内存单元中，再将与之比较的N位二进制数据输入到字线信号WL或位线BL、BLB中，通过脉冲调制信号实现外部数据与存储器内的多列或多行数据的汉明距离计算。由于在该计算过程中所有的存储单元可以同时参与计算，因此有着很高的计算效率，同时可以减少在数据传输过程消耗的能量，并且可以提高计算时数据的吞吐率，不需要将数据读出SRAM从而能大大降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sram 单元 内存 实现 距离 计算 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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