[发明专利]一种SONOS存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010698851.3 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111799164B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 唐小亮;辻直树;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11521;H01L27/11568;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SONOS存储器及其制造方法，上述制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有SONOS存储器的第一晶体管栅极和用以形成第二晶体管栅极的第一层，第一层覆盖第一晶体管栅极和衬底；在第一层的上表面形成图案化的第二层，第二层暴露对应第二晶体管栅极外侧的第一层；对被第二层暴露的第一层进行第一刻蚀；去除第二层，以重新暴露第一层；以及对第一层进行第二刻蚀，以形成第二晶体管栅极。本发明还提供了根据上述制造方法所制造的SONOS存储器。根据本发明所提供的制造方法所制造的SONOS存储器，其选择管和存储管的外侧均能够具有垂直结构，从而能够在后续工艺中形成垂直侧墙，以提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010698851.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种真空吸附底座
- 下一篇：一种基于财务机器人的物资采购结算管理系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
