[发明专利]存储装置及存储装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010699077.8 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113451354A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 岡嶋睦 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L23/544;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种存储装置及存储装置的制造方法。根据一实施方式，实施方式的存储装置包含：第1芯片(400)，包含绝缘层(61)及第1焊垫(73)；多个存储器部(51)，设置在绝缘层(61)的第1区域(A1)内，以第1间隔(Dp1)排列在与第1芯片(400)的表面平行的第1方向上；多个第1标记部(990)，设置在绝缘层(61)的第2区域(A2)内，以第2间隔(Dp2)排列在第1方向上；第2芯片(410)，在与第1芯片(400)的表面垂直的第2方向上与第1芯片(400)重叠，包含连接于第1焊垫(73)的第2焊垫(38)；及电路(CC)，设置在第2芯片(410)内。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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