[发明专利]一种硅基肖特基积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010699364.9 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111725321B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王彦东;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开一种硅基肖特基积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法。该器件中设置积累介质层，覆盖P型基区与N |
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| 搜索关键词： | 一种 硅基肖特基 积累 缓冲 横向 扩散 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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