[发明专利]一种电沉积钴深度去除痕量镍的方法在审
| 申请号： | 202010702123.5 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111910215A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 刘丹;罗俊锋;徐国进;张巧霞;李勇军;贺昕;冯昭伟;高岩;滕海涛;刘芳 | 申请（专利权）人： | 有研亿金新材料有限公司 |
| 主分类号： | C25C1/08 | 分类号： | C25C1/08;C25C7/06;C22B23/00;C22B3/24;C22B3/42 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 102200*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于金属提纯技术领域的一种电沉积钴深度去除痕量镍的方法，本发明采用螯合型树脂CH27，经动态离子交换法深度脱除钴溶液中杂质镍，电沉积钴溶液通入电沉积槽进行不溶阳极电积净化提纯，制备得到镍含量低于0.00002％的99.9995％高纯钴。本发明适用于电沉积钴溶液中痕量镍的深度脱除，该工艺操作简单、稳定性好、成本低廉、绿色环保，达到深度除镍的目的，满足制备5N5高纯钴产品的要求，有助于实现湿法电解高纯金属的大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 深度 去除 痕量 方法 | ||
【主权项】：
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