[发明专利]托盘预热腔及对应的PECVD设备在审
申请号: | 202010704046.7 | 申请日: | 2020-07-21 |
公开(公告)号: | CN111850518A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 杨华新;马哲国 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/513;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201306 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供托盘预热腔及对应的PECVD设备。PECVD设备包括:加载模块,其用于将硅片放置在托盘中;托盘转送模块,其用于将由加载模块传送的托盘送至托盘预热腔,并接收已预热的托盘;托盘预热腔,其接收和预热托盘至预设预热温度并将托盘传回至托盘转送模块;加载腔,其配置成接收由托盘转送模块传送的、已预热的托盘;PECVD工艺腔,其接收由加载腔传送的托盘,通过本征和掺杂PECVD工艺在托盘所承载的硅片的一面上沉积形成I/N或I/P型非晶硅薄膜;卸载腔,其接收由PECVD工艺腔传送的托盘;以及卸载模块,其接收由卸载腔传送的托盘并将硅片从托盘中卸载。本发明能有效提高设备产能、预热灵活性和预热效率,并能有效降低设备成本。 | ||
搜索关键词: | 托盘 预热 对应 pecvd 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理想万里晖薄膜设备有限公司,未经上海理想万里晖薄膜设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010704046.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的