[发明专利]一种铝掺锑化铟薄膜、磁阻传感元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种In1‑xAlxSb薄膜、磁阻传感元件及其制造方法，In1‑xAlxSb薄膜中x的取值范围为0.05≤x≤0.15。制备方法为：将基底的温度升至350～400℃，同时加热蒸发InSb源、AlSb源，真空蒸镀制得In1‑xAlxSb层，并在保护气氛下退火结晶。这种方法制得的In1‑xAlxSb薄膜，具有比硅和砷化镓更高的电子迁移率，同时通过掺杂调节禁带宽度的手段，禁带宽度被调控至接近硅或者砷化镓，因此在保持InSb薄膜高电子迁移率的同时优化了温度性能。由本发明的In1‑xAlxSb薄膜制得的磁阻传感元件，工作温度高于纯InSb磁阻器件，达到硅和砷化镓磁阻器件的工作温度，同时又具有比硅和砷化镓磁阻器件更高的灵敏度。磁阻传感器件制备采用蒸电极、光刻、划片、引线和分装等标准器件工艺。