[发明专利]一种硅片切割废料顶吹精炼的方法有效

专利信息
申请号: 202010705006.4 申请日: 2020-07-21
公开(公告)号: CN111807372B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 马文会;杨时聪;魏奎先;李绍元;伍继君;万小涵 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 代理人: 朱维
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种硅片切割废料顶吹精炼的方法,属于硅二次资源回收再生制备高纯硅技术领域。本发明针对硅片切割废料常规火法熔炼过程不具备除杂能力或除杂效率低的实际问题,在硅片切割废料熔炼精炼过程中外加吹气装置,通入氧化性气体,对熔化后的硅片切割废料进行氧化精炼,在硅熔体发生强烈搅拌的同时,促进硅中的Ca、Al等杂质氧化反应进入渣相得以去除,实现高品质硅的制备。本发明所述方法具有设备要求简单、操作容易、流程短、可直接制备出高品质硅和适合规模化工业生产的特点。
搜索关键词: 一种 硅片 切割 废料 顶吹 精炼 方法
【主权项】:
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