[发明专利]3D存储器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010706711.6 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN112151553A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;周文犀;夏志良;李姗 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件的制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成叠层结构，包括交替堆叠的层间介质层与层间牺牲层；形成穿过叠层结构的沟道孔；形成位于沟道孔内的功能层以及沟道层；形成覆盖沟道层的掺杂层；以及对掺杂层退火，以便于掺杂层中的杂质进入沟道层中。该制造方法通过利用掺杂层向沟道层提供掺杂杂质，实现了沟道层的低浓度掺杂，从而在提高沟道电流的同时，降低了对3D存储器件其他电学性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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