[发明专利]一种以石墨烯为骨架的硅碳薄膜负极及制备方法有效
| 申请号： | 202010708768.X | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111969186B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张悦;刘曙光;庞先标;杨荣 | 申请（专利权）人： | 自贡兴川储能技术有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 刘小彬 |
| 地址： | 643000 四川省自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以石墨烯为骨架的硅碳薄膜负极及制备方法，属于锂离子电池领域。本发明所述的制备方法包括以下步骤：步骤1.在衬底上生长垂直石墨烯骨架；步骤2.将生长的垂直石墨烯骨架进行等离子处理；步骤3.在经步骤2处理后的垂直石墨烯骨架上生长硅材料。本发明设计科学，方法简单，操作简便。本发明创造性地先在衬底上生长垂直石墨烯，而后再在垂直石墨烯骨架上生长硅材料，从而可以将疏松的硅薄膜嵌入到垂直石墨烯片层之间形成硅碳负极，能很好地克服硅负极材料的问题，并且可以充分发挥垂直石墨烯的面内导电性能，提高离子嵌入与析出效率，对于制备大容量锂离子电池特别是固态电池具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 骨架 薄膜 负极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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