[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010708917.2 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112310201A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 安皓均;金范洙;金泫昇;焦广泛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括衬底、界面绝缘图案、栅极绝缘图案、阈值电压控制金属图案和导电图案。界面绝缘图案可以形成在衬底上。包括氧化物的栅极绝缘图案可以形成在界面绝缘图案上，该氧化物具有比硅氧化物的介电常数高的介电常数。阈值电压控制金属图案可以形成在栅极绝缘图案上。导电图案可以形成在阈值电压控制金属图案上。至少包括氟的第一掺杂剂可以被包括在栅极绝缘图案内和栅极绝缘图案的至少下表面处以及在界面绝缘图案的与栅极绝缘图案接触的上表面处。该半导体器件可以具有优异的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010708917.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：换热器、排出容器和咖啡分配机
- 同类专利
- 专利分类
