[发明专利]一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法有效
| 申请号： | 202010709835.X | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111943649B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈明飞;刘永成;江长久;陈明高;徐胜利;郭梓旋;莫国仁;李跃辉 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C04B35/63;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法。该烧结体，由氧化铟、掺杂元素x和硅元素制备得到，其中掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比为0.2～5.0％，硅元素在所述烧结体中的含量为5～600ppm，硅元素为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种。将氧化铟与掺杂元素x的氧化物混合物料在高温获得具有方铁锰矿结构的、固溶有元素x的氧化铟单一晶相粉末，再与硅元素混合后压制成所需尺寸的胚体，再进行烧结得到烧结体。此烧结体进行RPD镀膜可获得高的迁移率，同时解决了烧结体由于密度低而在使用过程中掉粉影响镀膜过程连续进行而导致生产效率降低的问题，无需再停机针对掉粉问题进行清理，实现了持续的生产，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 烧结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙壹纳光电材料有限公司，未经长沙壹纳光电材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010709835.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
