[发明专利]一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202010709846.8 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111943650B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 陈明飞;刘永成;江长久;陈明高;徐胜利;郭梓旋;莫国仁;李跃辉 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材及其制备方法。该氧化物靶材主要由氧化铟组成并含有掺杂元素钨，钨的含量以W/(In+W)的原子数比计为0.003～0.05，除含有上述两种元素计量比外，该烧结体还含有占该烧结体的总重量比为5～600ppm的硅元素，除了钨外、作为掺杂元素还可以进一步加入钛(Ti)、钼(Mo)、锆(Zr)、铪(Hf)元素中的一种或其中几种金属元素的组合，钨与这些金属元素组合的总含量以(W+x)/(In+W+x)的原子数比计为0.003～0.05，除含有上述不同组合的元素计量比外，该靶材还含有占该烧结体的总重量比在5‑600ppm的硅元素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 活化 等离子 沉积 技术 iwo 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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