[发明专利]发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010709995.4 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN113972344A 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 敖资通;严怡然;杨帆;赖学森;张建新;洪佳婷 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 张杨梅
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及显示技术领域,提供了一种发光二极管及其制备方法。本申请所提供的发光二极管的制备方法包括:提供基质和分散有n型半导体的浆料,将浆料在基质上进行成膜处理,形成湿膜;采用电子束扫描湿膜以实现对所述湿膜进行退火处理,形成电子功能层。该法短暂而有效,大大降低了退火时间,从而降低了器件与水氧接触的风险,有利于提升器件的使用寿命;同时,短暂而有效的电子束退火还降低了膜层的粗糙程度,提高了膜层结晶度,从而提高了电阻率。此外,采用电子束扫描湿膜以进行退火处理的方法,使得由电子束产生的高温主要作用于湿膜,避免了高温对器件内部结构造成破坏,整体上提高了器件的发光性能。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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