[发明专利]非接触式判断半导体材料导电类型的方法有效
| 申请号： | 202010710186.5 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111913090B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 季振国;李阳阳;席俊华 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱亚冠 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了非接触式判断半导体材料导电类型的方法。现有方法在测试后会造成半导体材料表面损坏。本发明方法在待测半导体晶片表面上方布置测量电极和参考电极，电极为透明导电玻璃，导电面朝下；两个电极的导电面分别接接运算放大器的同向和反向输入端；测量电极上方设置加热用光源。首先关闭光源，调节运算放大器输出电压为0，然后开启光源加热晶片局部表面，当运算放大器有信号输出，关闭光源；3～5秒后，检测运算放大器的输出电压极性：如果极性为正，则半导体材料为P型；如果极性为负，则半导体材料为N型。本发明方法避免了样品损伤，操作简单，易实现自动化，同时避免半导体材料因受热而进入本征激发状态，导致判断失效或者错误判断。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 判断 半导体材料 导电 类型 方法 | ||
【主权项】：
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