[发明专利]在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法在审
| 申请号： | 202010710244.4 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113053716A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王志佑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法。一种等离子体放电探测系统探测半导体工艺腔室内的不期望的等离子体放电事件。等离子体放电探测系统包括位于半导体工艺腔室周围的一个或多个相机。相机从半导体工艺腔室内拍摄图像。等离子体放电探测系统包括从相机接收图像的控制系统。控制系统对图像进行分析并基于图像探测半导体工艺腔室内的等离子体放电。控制系统可响应于探测到等离子体放电而实时调整半导体工艺。本公开可使半导体晶片及其集成电路中产生更好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 期间 等离子体 放电 进行 辨认 寻址 方法 | ||
【主权项】：
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