[发明专利]一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备有效
申请号: | 202010710368.2 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN111690913B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 周继承;徐伟 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人: | 谢秀娟 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及等离子体生产领域,尤其涉及一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备,包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置,等离子体发生装置下方设置有基片台,等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导,等离子体发生装置顶部设置有上进气管,等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管;壳体底部连通有真空机组;同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管,石英玻璃管在铜天线外侧,微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间,微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本发明提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备,以提升产能和性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 微波 屏蔽 磁场 增强 平板 pecvd 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的