[发明专利]一种磷化铟晶片的位错测定方法在审
| 申请号： | 202010711466.8 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112082992A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 傅伟力;李勇;刘留;苏小平 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N1/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料领域，公开了一种磷化铟晶片的位错测定方法，在位错腐蚀前先采用手工抛光液对磷化铟晶片进行手工抛光，手工抛光液由甲醇和液溴组成，甲醇和液溴的体积比为5：1，甲醇及液溴的质量分数均为99.5％。采用手工抛光液抛光过后的磷化铟晶片放入一号腐蚀液中腐蚀后冲洗干净，再放入二号腐蚀液中腐蚀，腐蚀完成后取出冲洗干净，干燥，利用光学显微镜测定EPD密度；一号腐蚀液中包含硫酸，硫酸的质量分数为98％，二号腐蚀液中包含氢溴酸，氢溴酸的质量分数为48％。本发明能够提高磷化铟腐蚀位错的效率及计算EPD数量的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 测定 方法 | ||
【主权项】：
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