[发明专利]一种基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料的制备方法在审
| 申请号： | 202010715463.1 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111729659A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 弓亮;彭芃;杨勤桃;黄丽丽;解庆林;陈南春 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | B01J20/26 | 分类号： | B01J20/26;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/22 |
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| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MCM‑41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料的制备方法。该离子印迹材料是以介孔MCM‑41为载体，Cr(Ⅵ)离子为模板，N‑(β‑氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体、环氧氯丙烷为交联剂，盐酸为洗脱剂，通过表面离子印迹技术制备了基于MCM‑41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料。本发明的基于MCM‑41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材具有步骤简单操作方便，生产效率高等优点，并且对水中Cr(Ⅵ)离子具有良好的吸附性和选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mcm 41 分子筛 表面 cr 离子 印迹 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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