[发明专利]用于降低SRAM存储阵列漏电流的电路及控制方法有效
| 申请号： | 202010715541.8 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111863070B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李晓敏 | 申请（专利权）人： | 南京低功耗芯片技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于降低SRAM存储阵列漏电流的电路及控制方法，包括存储阵列电源电压控制模块、存储阵列地端电压控制模块和存储阵列；通过存储阵列电源电压控制模块和存储阵列地端控制模块实现存储阵列电源端和地端电压的控制，可降低存储单元实际数据保持电压，从而减小SRAM在数据保持状态下的漏电功耗。并且利用控制不同调节信号来实现调节存储单元数据保持电压值的功能，以应对不同设计需求。本发明可有效降低SRAM在数保持状态下存储阵列的漏电流，并且在用SRAM实现的存储系统中，可以实现必要SRAM以低漏电开销保持数据，其余SRAM完全关闭电源的低功耗方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 sram 存储 阵列 漏电 电路 控制 方法 | ||
【主权项】：
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