[发明专利]具有竖直存取晶体管的存储器阵列有效
| 申请号： | 202010716964.1 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112309455B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | S·J·德尔纳;C·L·英戈尔斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C8/14 | 分类号： | G11C8/14;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及具有竖直存取晶体管的存储器阵列。一种设备，其可以具有第一存储器单元和第二存储器单元。所述第一存储器单元可以具有第一存储装置，所述第一存储装置通过第二层级处的第一竖直晶体管选择性地耦合到第一层级处的第一数字线。所述第二存储器单元可以具有第二存储装置，所述第二存储装置通过所述第二层级处的第二竖直晶体管选择性地耦合到所述第一层级处的第二数字线。第三数字线可以在第三层级处并且可以耦合到主感测放大器。本地感测放大器可以耦合到所述第一数字线、所述第二数字线和所述第三数字线。所述第二层级可以在所述第一层级和所述第三层级之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 竖直 存取 晶体管 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010716964.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
