[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202010717894.1 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111696860B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 马芳;应广驰;马立飞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/033;G03F7/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法。所述制作方法提供的半导体基底的第一区域形成有自对准双重图形掩模，所述自对准双重图形掩模包括多个氮化物的侧墙，首先对半导体基底进行预处理，以在侧墙表面形成钝化膜，接着在半导体基底表面涂覆光刻胶并进行曝光和显影，形成图形化的光刻胶层，然后对半导体基底进行刻蚀，形成自对准双重图形结构，其中，在曝光和显影过程中，钝化膜用于防止光刻胶层中的光酸与侧墙反应。所述钝化膜可以避免光刻胶层在曝光过程中产生的光酸与侧墙反应，有助于在显影过程中去除侧墙间的光刻胶层，增大了光刻工艺窗口。所述半导体结构包括利用上述制作方法制成的自对准双重图形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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