[发明专利]一种大温差晶体生长炉及制备高质量氮化铝单晶的方法在审
| 申请号： | 202010719105.8 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111676514A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;王琦琨;黄嘉丽;雷丹;李哲;朱如忠;付丹扬;黄毅 | 申请（专利权）人： | 奥趋光电技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余杭区余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的提供了一种大温差晶体生长炉，包括：坩埚托台，放置于坩埚托台上的坩埚，用于加热坩埚底部的加热器，用于冷却坩埚顶部的伸入式水冷壁，以及围绕坩埚布置的保温部件；其中，所述伸入式水冷壁自炉体水冷壁向下延伸并靠近坩埚顶部，所述保温部件用于阻隔所述伸入式水冷壁与加热器之间的热传输，以及对坩埚进行保温，所述坩埚托台为可移动式坩埚托台，用于托举坩埚在竖直方向上下移动并精确控制坩埚的轴向位置；还包括上下温度监控仪，用于监测所述坩埚上下表面中心处的温度。伸入式水冷壁配备定位运动系统，可实现对坩埚内部轴向温差的灵活调控，拓宽了氮化铝单晶的生长条件窗口，实现了PVT法低温高质量氮化铝单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温差 晶体生长 制备 质量 氮化 铝单晶 方法 | ||
【主权项】：
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