[发明专利]具有垂直晶体管的存储器阵列及其形成在审
| 申请号： | 202010719251.0 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112289355A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | F·A·席赛克-艾吉;S·V·科莱;S·J·德尔纳;T·D·罗布斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C5/06;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及具有垂直晶体管的存储器阵列及其形成。一种装置，例如存储器阵列，可以具有耦合到位于第一层级处的第一数字线(例如，局部数字线)的存储器单元。第二层级处的第二数字线(例如，分级数字线)可以耦合到主读出放大器。第一和第二层级之间的第三层级处的电荷共享装置可以耦合到第一数字线和连接器。第三层级处的垂直晶体管可以耦合在第一数字线和连接器之间。触点可以耦合在连接器和第二数字线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 晶体管 存储器 阵列 及其 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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