[发明专利]一种原位碳化硅纳米线增韧碳化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 202010721613.X | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111848196B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李露;孙冰;马朝利;李志坚;徐昊 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/84;C04B35/622;C04B35/66 |
| 代理公司： | 北京航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11668 | 代理人： | 黄川;史继颖 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位碳化硅纳米线增韧碳化硅陶瓷的制备方法，利用聚碳硅烷的热解反应，在合成碳化硅块体陶瓷的同时，在其内部和表面原位生长碳化硅纳米线，通过进一步的前驱体浸渍裂解(PIP)致密化工艺，制备高致密度的碳化硅纳米线增韧碳化硅陶瓷，借助纳米线的增韧作用，减少碳化硅陶瓷的开裂趋势，提升其抗热震性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 碳化硅 纳米 线增韧 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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