[发明专利]二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202010722118.0 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111848172B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 姚荣迁;黄雯燕;郑艺浓;韩宇宸;韩浩哲;安子一;陈峰 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料制备。将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，将MoSi |
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| 搜索关键词： | 二硅化钼 碳化硅 三维 聚合物 先驱 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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