[发明专利]半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构在审
| 申请号： | 202010722652.1 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN113972258A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 颜孝璁;陈家源 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/64;H01L27/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构。半导体装置设置于一电感器之下。半导体装置包含一金属氧化物半导体电容器结构以及一图案化屏蔽结构。金属氧化物半导体电容器结构包含一多晶硅层、一氧化定义层以及一第一金属层。第一金属层连接多晶硅层以及氧化定义层。图案化屏蔽结构设置于金属氧化物半导体电容器结构之上且包含一第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 金属 氧化物 电容器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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