[发明专利]一种嵌段阴离子交换膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010723047.6 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN111793156B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 葛倩倩;朱祥 申请(专利权)人: 安徽大学
主分类号: C08F8/44 分类号: C08F8/44;C08F293/00;C08F220/22;C08F212/08;C08F212/14;C08F2/38;C08L53/00;C08J5/22;H01M8/1072;H01M8/103
代理公司: 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 代理人: 鲍丽伟
地址: 230601 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种嵌段阴离子交换膜及其制备方法。所述制备方法包括:以2‑溴乙基丙烯酸酯为第一单体、BTPA为第一链转移试剂,采用可见光引发聚合合成第一段聚合物;以第一段聚合物为第二链转移试剂、苯乙烯类化合物为第二单体,采用可见光引发聚合合成嵌段聚合物;嵌段聚合物与含吡咯基团的功能化试剂反应制得嵌段阴离子交换膜。本发明采用的光引发RAFT聚合条件温和、环境友好、反应高效、光催化剂使用量少,且合成的嵌段聚合物因具有特殊的软‑硬段结构而易于形成清晰的亲‑疏水微相分离形貌,离子传输效率高,而引入的吡咯基团则赋予了膜较高的耐碱稳定性。该方法为制备特殊构型及优异性能的阴离子交换膜提供了一条高效、温和的途径。
搜索关键词: 一种 阴离子 交换 及其 制备 方法
【主权项】:
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