[发明专利]具有阻变层的非易失性存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 202010723090.2 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN113130739A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 韩在贤;刘香根;李世昊 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施例的非易失性存储器件包括：衬底；阻变层，其设置在所述衬底之上；栅绝缘层，其设置在所述阻变层上；栅电极层，其设置在所述栅绝缘层上；以及第一电极图案层和第二电极图案层，其分别设置在所述衬底上并且设置为接触所述阻变层的不同部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻变层 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010723090.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
