[发明专利]高稳定性的全无机CsPbI2在审

专利信息
申请号: 202010724494.3 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN111792851A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 柴文明;朱卫东;张春福;陈大正;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;H01L31/032;H01L31/06
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 姚咏华
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种高稳定性的全无机CsPbI2Br钙钛矿薄膜及制备方法,包括处理FTO导电玻璃衬底材料,在FTO导电玻璃衬底上制备TiO2层;配制反溶剂,将碘化铯、碘化铅、溴化铅加入有机溶剂中配制钙钛矿前驱体溶液;将钙钛矿前驱体溶液涂覆到FTO/TiO2衬底上获得CsPbI2Br钙钛矿前驱体薄膜;将反溶剂溴化甲胺溶液涂敷在钙钛矿前驱体薄膜上;退火,形成全无机CsPbI2Br钙钛矿薄膜。该方法制备的CsPbI2Br薄膜提高了薄膜的结晶性和改善了形貌,进一步提升了薄膜的稳定性。
搜索关键词: 稳定性 无机 cspbi base sub
【主权项】:
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