[发明专利]一种InGaN图形衬底模板及其制备方法和在红光Micro-LED芯片中的应用在审
| 申请号： | 202010724621.X | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111864020A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;万辉;宫丽艳 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李艳景 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种InGaN图形衬底模板及其制备方法和在红光Micro‑LED芯片中的应用。该图形衬底模板依次包括衬底、GaN层、模板层、GaN六棱锥阵列和InGaN六棱台阵列；其中：所述模板层内部有贯穿模板层的GaN圆台或六棱台阵列；所述GaN六棱锥阵列从GaN圆台或六棱台阵列上继续生长得到；所述InGaN六棱台与GaN六棱锥共轴线，并将GaN六棱锥完全覆盖，所述InGaN六棱台和所述GaN六棱锥侧壁均为{10‑11}晶面。该图形衬底模板的In组分含量高，可直接生长In组分含量在25～35％的铟镓氮基红光Micro‑LED，并显著增强芯片的光提取效率，适用于水平、倒装和垂直多种不同结构的芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 图形 衬底 模板 及其 制备 方法 红光 micro led 芯片 中的 应用 | ||
【主权项】：
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