[发明专利]一种石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010727837.1 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111925232A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 岳之浩;周浪;徐国军 | 申请（专利权）人： | 江西昌大高新能源材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 许莹莹 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市南昌高新技术*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料的制备方法，(1)将石墨颗粒置于真空热处理炉中；(2)到达设定温度后，通入气态硅源，使石墨颗粒表面包覆一层硅层；(3)到达设定温度后，通入气态碳源，使硅薄膜表面包覆一层碳层。本发明还公开了一种采用上述方法制备得到的石墨表面硅/碳双层包覆的负极材料。本发明中所述负极材料的制备方法可使硅材料非常均匀地分布于整个负极材料体系中，在充放电过程中不会产生膨胀不均匀现象。本发明中所述的负极材料结构可望同时具备优异的倍率特性、循环稳定性以及高的比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 表面 双层 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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