[发明专利]一种自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管

摘要

本发明公开了一种自由运行模式下的负反馈雪崩光电二极管，包括外延结构，所述外延结构包括InP衬底，InGaAs吸收层，InGaAsP缓冲层，倍增区，势垒区以及外延集成在器件表面的淬灭薄膜电阻。本发明的外延结构无需使用外部淬灭电路在保证器件性能的同时，加入内部势垒区对雪崩电流进行淬灭，同时在外部外延集成的淬灭薄膜电阻进行二次淬灭，两次淬灭既保证了雪崩电流淬灭完全又抑制了增益的波动性，同时也简化了器件的外部电路，可用于自由运行模式。