[发明专利]一种自对准后切SDB FinFET器件的制作方法在审
| 申请号： | 202010729632.7 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN114005790A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准后切SDB FinFET器件的制作方法，在相邻的两个Fin结构上形成SiGe区，在与该SiGe区相邻的Fin结构上形成SiP区；然后在Fin结构上刻蚀形成SDB沟槽；在SDB沟槽的顶部形成SiN塞以形成顶部密封且中空的SDB沟槽。本发明形成SDB工艺采用金属栅‑硬掩膜‑帽层‑硬掩膜的工艺，无需额外费用，工艺兼容性好。同时SDB蚀刻工艺是自对准的，可以更好地控制工艺变化，在SDB沟槽之后，填充SiN塞以密封SDB沟槽。SDB沟槽是空气填充的，不需要进行热退火，因此退火氧化过程中几乎没有Fin损失，因此可以更好地控制SDB沟槽的均匀性；SDB沟道充满空气，降低了相邻触点的寄生电容，有利于提高器件速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 sdb finfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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