[发明专利]使用退化信息计算最优读取电压的存储设备在审
| 申请号： | 202010729765.4 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112349324A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 柳载德;金真怜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G06F3/06;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储设备，包括：第一存储器设备，包括多个存储器块和被包括在多个存储器块中的每一个中的多个页面；第二存储器设备，被配置为存储第一存储器设备的第一退化信息；以及控制器，被配置为使用第一读取电压在第一存储器设备上执行第一读取操作以获取第一退化信息，并且使用第二读取电压在第一存储器设备上执行第二读取操作。第二读取电压是使用第一存储器设备的第二退化信息计算的，第二退化信息使用第一退化信息估计。第一退化信息和第二退化信息中的每一个包括多个页面中的每一个的误比特数。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 退化 信息 计算 最优 读取 电压 存储 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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