[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 202010731331.8 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112086542B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、过渡层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述过渡层、所述未掺杂氮化镓层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述过渡层包括复合层，所述复合层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠在所述缓冲层上；每个所述第一子层为掺杂Si的AlN层，每个所述第二子层为掺杂Mg的AlN层。本公开可以有效提高外延片的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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