[发明专利]一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010734362.9 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111799338B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 袁昊;刘延聪;何艳静;胡彦飞;宋庆文;汤晓燕;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云侠 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N‑外延层、P+注入区和阳极，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构，在沟槽结构两侧与P+注入区之间分别设有N+掺杂区；本发明在两个P+注入区之间的肖特基接触面下方设置有沟槽结构，沟槽的引入可以增大肖特基接触面积，同时减小寄生电阻，降低了导通电阻，使器件更容易开启，在沟槽结构的基础上，进行N+掺杂，进一步减小导通电阻，提升器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 sic jbs 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010734362.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种稻稻虾综合种养方法
- 下一篇：一种SiC MPS二极管器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
