[发明专利]波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法

摘要

本发明公开了一种波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法，在硅衬底上生长一层SiO2掩膜；在SiO2掩膜上光刻出硅槽区域并向下刻蚀出硅槽；去除SiO2掩膜并在硅衬底上再次生长一层SiO2掩膜；在SiO2掩膜上光刻出硅槽区域及硅槽外沿的区域，刻蚀去除光刻区域上的SiO2掩膜，在硅槽边沿形成硅台阶；在硅槽中外延生长纯锗层。本发明中，在选择性外延锗之前先刻蚀掉硅槽外沿的部分SiO2掩模露出硅表面，减小外延锗的边缘处出现的凹坑，并使之位于SiO2掩膜和硅台阶处，从而使硅槽范围内的锗表面较为平坦；另外，硅槽范围内生长的锗均为晶态，没有非晶态与晶态的过渡区，从而提高制作出的波导锗探测器的性能。